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IRFBE30

IRFBE30

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Produktcode: 23059
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 4,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/78
Montage: THT
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10+1.5 EUR
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Technische Details IRFBE30 IR

  • MOSFET, N TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:4.1A
  • On State Resistance:3ohm
  • Case Style:TO-220AB
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:800V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:125W
  • Power Dissipation Pd:125W
  • Pulse Current Idm:16A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Weitere Produktangebote IRFBE30 nach Preis ab 3.65 EUR bis 3.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFBE30 IRFBE30 Siliconix info-tirfbe30.pdf description N-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRFBE30 description info-tirfbe30.pdf
IRFBE30
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30
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