IRFBE30

IRFBE30


91118.pdf
Produktcode: 23059
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar

Anzahl Preis
1+1.54 EUR
10+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRFBE30 IR

  • MOSFET, N TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:4.1A
  • On State Resistance:3ohm
  • Case Style:TO-220AB
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:800V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:125W
  • Power Dissipation Pd:125W
  • Pulse Current Idm:16A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Weitere Produktangebote IRFBE30 nach Preis ab 3.06 EUR bis 3.06 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFBE30 IRFBE30 Hersteller : Siliconix info-tirfbe30.pdf N-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30 Hersteller : International Rectifier/Infineon 91118.pdf N-канальный ПТ (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, P=125W, -55 to +150C).... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30 irfbe30.pdf (MFET,N-CH,125W,800V,4.1A,TO-220AB) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30 IRFBE30 Hersteller : Vishay Siliconix 91118.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30 IRFBE30 Hersteller : Vishay / Siliconix 91118.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH