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IRFBE30PBF

IRFBE30PBF Vishay

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Produktcode: 15766
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Hersteller: Vishay
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
verfügbar: 3 St.
    AnzahlPreis
    1+1.13 EUR
    10+0.98 EUR
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    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
    IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY IRFBE30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 800V
    Drain current: 2.6A
    Pulsed drain current: 16A
    Power dissipation: 125W
    Case: TO220AB
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 3Ω
    Mounting: THT
    Gate charge: 78nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 526 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    38+1.93 EUR
    43+1.69 EUR
    50+1.46 EUR
    100+1.3 EUR
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    500+0.97 EUR
    Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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    IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 87 Stücke:
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    59+2.46 EUR
    Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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    IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 1743 Stücke:
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    55+2.68 EUR
    56+2.56 EUR
    100+1.9 EUR
    500+1.81 EUR
    1000+1.68 EUR
    Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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    IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    55+2.68 EUR
    56+2.61 EUR
    100+1.97 EUR
    500+1.91 EUR
    1000+1.82 EUR
    Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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    IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 496 Stücke:
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    54+2.71 EUR
    55+2.59 EUR
    100+1.93 EUR
    Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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    IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 496 Stücke:
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    54+2.71 EUR
    55+2.64 EUR
    100+2 EUR
    Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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    IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    53+2.8 EUR
    61+2.4 EUR
    100+2.07 EUR
    250+1.72 EUR
    500+1.5 EUR
    Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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    IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay Semiconductors 91118.pdf MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
    auf Bestellung 1133 Stücke:
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    1+4.54 EUR
    10+2.9 EUR
    100+2.22 EUR
    500+2.13 EUR
    2000+2.11 EUR
    5000+2.08 EUR
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    IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay Siliconix 91118.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
    auf Bestellung 1108 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    3+6.48 EUR
    50+3.3 EUR
    100+2.99 EUR
    500+2.45 EUR
    1000+2.28 EUR
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    IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 128 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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    IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY 91118.pdf Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 800V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 125W
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
    SVHC: Lead (04-Feb-2026)
    auf Bestellung 900 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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    IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 128 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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    IRFBE30PBF 91118.pdf IRFBE30PBF Транзисторы
    auf Bestellung 11 Stücke:
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    IRFBE30PBF- VIS 09+ SOP8
    auf Bestellung 2500 Stücke:
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    IRFBE30PBF
    Hersteller: VISHAY
    Category: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 800V
    Drain current: 2.6A
    Pulsed drain current: 16A
    Power dissipation: 125W
    Case: TO220AB
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 3Ω
    Mounting: THT
    Gate charge: 78nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 526 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    AnzahlPreis
    38+1.93 EUR
    43+1.69 EUR
    50+1.46 EUR
    100+1.3 EUR
    250+1.1 EUR
    500+0.97 EUR
    Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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    IRFBE30PBF
    Hersteller: Vishay
    Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 87 Stücke:
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    AnzahlPreis
    58+2.52 EUR
    59+2.46 EUR
    Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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    IRFBE30PBF
    Hersteller: Vishay
    Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 1743 Stücke:
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    AnzahlPreis
    55+2.68 EUR
    56+2.56 EUR
    100+1.9 EUR
    500+1.81 EUR
    1000+1.68 EUR
    Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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    IRFBE30PBF
    Hersteller: Vishay
    Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 1743 Stücke:
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    AnzahlPreis
    55+2.68 EUR
    56+2.61 EUR
    100+1.97 EUR
    500+1.91 EUR
    1000+1.82 EUR
    Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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    IRFBE30PBF
    Hersteller: Vishay
    Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 496 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    AnzahlPreis
    54+2.71 EUR
    55+2.59 EUR
    100+1.93 EUR
    Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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    IRFBE30PBF
    Hersteller: Vishay
    Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 496 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    AnzahlPreis
    54+2.71 EUR
    55+2.64 EUR
    100+2 EUR
    Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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    IRFBE30PBF
    Hersteller: Vishay
    Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 526 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    AnzahlPreis
    53+2.8 EUR
    61+2.4 EUR
    100+2.07 EUR
    250+1.72 EUR
    500+1.5 EUR
    Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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    IRFBE30PBF
    Hersteller: Vishay Semiconductors
    MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
    auf Bestellung 1133 Stücke:
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    AnzahlPreis
    1+4.54 EUR
    10+2.9 EUR
    100+2.22 EUR
    500+2.13 EUR
    2000+2.11 EUR
    5000+2.08 EUR
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    IRFBE30PBF
    Hersteller: Vishay Siliconix
    Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
    auf Bestellung 1108 Stücke:
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    AnzahlPreis
    3+6.48 EUR
    50+3.3 EUR
    100+2.99 EUR
    500+2.45 EUR
    1000+2.28 EUR
    Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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    IRFBE30PBF
    Hersteller: Vishay
    Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 128 Stücke:
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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    IRFBE30PBF
    Hersteller: VISHAY
    Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 800V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 125W
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
    SVHC: Lead (04-Feb-2026)
    auf Bestellung 900 Stücke:
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    IRFBE30PBF
    Hersteller: Vishay
    Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
    auf Bestellung 128 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Mindestbestellmenge: 17 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE30PBF 91118.pdf
    IRFBE30PBF Транзисторы
    auf Bestellung 11 Stücke:
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFBE30PBF-
    Hersteller: VIS
    09+ SOP8
    auf Bestellung 2500 Stücke:
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