
IRFBE30PBF Vishay

Produktcode: 15766
Hersteller: VishayGehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
verfügbar 3 Stück:
Anzahl | Preis |
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1+ | 1.13 EUR |
10+ | 0.98 EUR |
Produktrezensionen
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Weitere Produktangebote IRFBE30PBF nach Preis ab 0.99 EUR bis 3.64 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRFBE30PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 428 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 428 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 7150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 889 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 889 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 989 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1359 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE30PBF | Hersteller : INTERNATIONAL RECTIFIER |
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auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE30PBF |
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auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRFBE30PBF- | Hersteller : VIS | 09+ SOP8 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |