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IRFBE30PBF

IRFBE30PBF Vishay

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Produktcode: 15766
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Hersteller: Vishay
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 3,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/78
Montage: THT
verfügbar: 3 St.
  • 3 St. - stock Köln
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY IRFBE30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.81 EUR
42+2.06 EUR
50+1.77 EUR
100+1.63 EUR
250+1.46 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.82 EUR
63+2.69 EUR
100+2.09 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.82 EUR
63+2.75 EUR
100+2.18 EUR
500+2.11 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 87 Stücke:
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59+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 87 Stücke:
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59+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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55+3.07 EUR
100+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.13 EUR
100+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.36 EUR
61+2.83 EUR
100+2.56 EUR
250+2.25 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay Semiconductors 91118.pdf MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.88 EUR
10+3.45 EUR
100+2.78 EUR
500+2.53 EUR
2000+2.51 EUR
5000+2.2 EUR
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY VISH-S-A0019267829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 1791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.34 EUR
53+4.39 EUR
100+3.06 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay Siliconix 91118.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.92 EUR
50+4.59 EUR
100+4.18 EUR
500+3.45 EUR
1000+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IRFBE30PBF 91118.pdf IRFBE30PBF Транзисторы
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IRFBE30PBF- VIS 09+ SOP8
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IRFBE30PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+2.81 EUR
42+2.06 EUR
50+1.77 EUR
100+1.63 EUR
250+1.46 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
62+2.82 EUR
63+2.69 EUR
100+2.09 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
62+2.82 EUR
63+2.75 EUR
100+2.18 EUR
500+2.11 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+3.07 EUR
100+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+3.13 EUR
100+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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52+3.36 EUR
61+2.83 EUR
100+2.56 EUR
250+2.25 EUR
500+2.06 EUR
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IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.88 EUR
10+3.45 EUR
100+2.78 EUR
500+2.53 EUR
2000+2.51 EUR
5000+2.2 EUR
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IRFBE30PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 1791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+7.34 EUR
53+4.39 EUR
100+3.06 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1070 Stücke:
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3+8.92 EUR
50+4.59 EUR
100+4.18 EUR
500+3.45 EUR
1000+3.21 EUR
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IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IRFBE30PBF Транзисторы
auf Bestellung 11 Stücke:
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IRFBE30PBF-
Hersteller: VIS
09+ SOP8
auf Bestellung 2500 Stücke:
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