IRFBE30PBF (Vishay) - Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld

IRFBE30PBF

IRFBE30PBF

Produktcode: 15766
Hersteller: Vishay
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78

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Technische Details IRFBE30PBF

Preis IRFBE30PBF ab 0.96 EUR bis 5.18 EUR

IRFBE30PBF
Hersteller: VISHAY
N-CH 800V 4A 3000mOhm TO220-3
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IRFBE30PBF
Hersteller: VISHAY
Material: IRFBE30PBF THT N channel transistors
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69+ 1.04 EUR
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IRFBE30PBF
Hersteller: VISH/IR

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IRFBE30PBF
Hersteller:
IRFBE30 MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
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IRFBE30PBF
Hersteller: INTERNATIONAL RECTIFIER
N-Channel MOSFET, 800V, 3 Ohm 4.1A, TO220, Pb-Free
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IRFBE30PBF
IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 800V N-CH HEXFET
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IRFBE30PBF
IRFBE30PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Through Hole
Transistor Polarity: N Channel
On Resistance Rds(on): 3
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 125
Continuous Drain Current Id: 4.1
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 4
Drain Source Voltage Vds: 800
Transistor Case Style: TO-220AB
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10
No. of Pins: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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2562 Stücke
IRFBE30PBF-
Hersteller: VIS
09+ SOP8
2500 Stücke
IRFBE30PBF
IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBE30PBF-
Hersteller:

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Hersteller:
IRFBE30 MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
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IRFBE30PBF
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IRFBE30PBF
Hersteller:
IRFBE30 MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBE30PBF
IRFBE30PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Supplier Device Package: TO-220AB
Mounting Type: Through Hole
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6,8pF 100V NP0 K(+/-10%) D<=5mm (TCH2A6P8K-L515B)
Produktcode: 2383
classi_tsl-datasheet.pdf
6,8pF 100V NP0 K(+/-10%) D<=5mm (TCH2A6P8K-L515B)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische - Kondensatoren keramische scheibenförmig und axial
Kapazität: 6,8pF
Nennspannung: 100V
TKE: NP0
Präzision: ±10% K
Abmessungen: D<=5mm
Part Nummer: TCH2A6P8K-L515B
238 Stück - stock Köln
607 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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1000+ 0.0043 EUR
BC557B
Produktcode: 1826
BC556,BC557.pdf
BC557B
Hersteller: NXP
Transistoren - Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.1
h21,max: 475
ZCODE: 8541 21 00 90
2033 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 164946 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
1+ 0.06 EUR
10+ 0.05 EUR
Möglichen Substitutionen
BC557C
Produktcode: 16000
1N4007 Dioden Brücke
Produktcode: 1574
техническая информация 1N4001-1N4007.pdf
1N4007 Dioden Brücke
Hersteller: YJ/Microsemi
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
№ 7: 8541100090
3155 Stück - stock Köln
40759 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.35 EUR
10+ 0.1 EUR
100+ 0.05 EUR
1000+ 0.011 EUR
47uF 63V EXR 8x12mm (EXR470M63B-Hitano)
Produktcode: 1443
EXR_080421.pdf
47uF 63V EXR 8x12mm (EXR470M63B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren - Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 63V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 3000 Stunden
8532 22 00 00
500 Stück - stock Köln
10000 Stück - erwartet 30.01.2022
1+ 0.08 EUR
10+ 0.06 EUR
100+ 0.05 EUR
1000+ 0.045 EUR