Produkte > VISHAY > IRFBF20STRLPBF
IRFBF20STRLPBF

IRFBF20STRLPBF VISHAY

sihfb20s.pdf
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBF20STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRFBF20STRLPBF VISHAY

Description: VISHAY - IRFBF20STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IRFBF20STRLPBF nach Preis ab 1.61 EUR bis 5.76 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFBF20STRLPBF IRFBF20STRLPBF Vishay Semiconductors sihfb20s.pdf MOSFETs N-Chan 900V 1.7 Amp
auf Bestellung 1472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+3.31 EUR
100+2.2 EUR
500+1.76 EUR
800+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBF20STRLPBF IRFBF20STRLPBF VISHAY sihfb20s.pdf Description: VISHAY - IRFBF20STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.22 EUR
66+3.55 EUR
100+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBF20STRLPBF IRFBF20STRLPBF Vishay Siliconix sihfb20s.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 662 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.76 EUR
10+3.75 EUR
100+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBF20STRLPBF sihfb20s.pdf
IRFBF20STRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 900V 1.7 Amp
auf Bestellung 1472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.09 EUR
10+3.31 EUR
100+2.2 EUR
500+1.76 EUR
800+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBF20STRLPBF sihfb20s.pdf
IRFBF20STRLPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBF20STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+5.22 EUR
66+3.55 EUR
100+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBF20STRLPBF sihfb20s.pdf
IRFBF20STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 662 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.76 EUR
10+3.75 EUR
100+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH