IRFBF20STRLPBF Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 800+ | 3.2 EUR |
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Technische Details IRFBF20STRLPBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRFBF20STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm.
Weitere Produktangebote IRFBF20STRLPBF nach Preis ab 2.59 EUR bis 5.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFBF20STRLPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp |
auf Bestellung 1357 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRFBF20STRLPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1416 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFBF20STRLPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBF20STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm |
auf Bestellung 1062 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBF20STRLPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBF20STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm |
auf Bestellung 1062 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBF20STRLPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFBF20STRLPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFBF20STRLPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| IRFBF20STRLPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.7A; Idm: 6.8A; 54W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.7A Pulsed drain current: 6.8A Power dissipation: 54W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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| IRFBF20STRLPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.7A; Idm: 6.8A; 54W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.7A Pulsed drain current: 6.8A Power dissipation: 54W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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