IRFBG30
Produktcode: 18004
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFBG30 | Hersteller : Vishay |
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFBG30 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFBG30 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB |
Produkt ist nicht verfügbar |