IRFBG30
Produktcode: 18004
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 1000 V
Drain-Strom Idd, A: 3,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 980/80
Montage: THT
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Weitere Produktangebote IRFBG30 nach Preis ab 3.52 EUR bis 3.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFBG30 | Vishay |
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFBG30 |
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Hersteller: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 3.52 EUR |