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Technische Details IRFD020PBF Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - IRFD020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 2.4 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote IRFD020PBF nach Preis ab 1.05 EUR bis 3.80 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IRFD020PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 50V 2.4A 4DIPPackaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
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IRFD020PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 2.4 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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IRFD020PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-Pin HVMDIP T/R |
auf Bestellung 106 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFD020PBF | Hersteller : IR |
09+ |
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IRFD020PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-Pin HVMDIP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRFD020PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 2.4A; Idm: 19A; 1W; HVMDIP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 1W Case: HVMDIP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IRFD020PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 2.4A; Idm: 19A; 1W; HVMDIP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 1W Case: HVMDIP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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