Produkte > SILICONIX > IRFD110

IRFD110 Siliconix

HRISD017-4-383.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd110.pdf Hersteller: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 540mOhm; 1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; IRFD110 TIRFD110
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRFD110 Siliconix

Description: 1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote IRFD110 nach Preis ab 1.08 EUR bis 1.24 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFD110 Hersteller : Harris Corporation HRISD017-4-383.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 40364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
429+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 429
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD110 Hersteller : HARRIS HRISD017-4-383.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd110.pdf IRFD110
auf Bestellung 39172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
446+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 446
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD110 Hersteller : HARRIS HRISD017-4-383.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd110.pdf IRFD110
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
446+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 446
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD110 HRISD017-4-383.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd110.pdf IRFD110 Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD110 IRFD110 Hersteller : Vishay sihfd110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD110 IRFD110 Hersteller : Vishay Siliconix sihfd110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD110 IRFD110 Hersteller : Vishay / Siliconix HRISD017-4-383.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd110.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD110 IRFD110 Hersteller : onsemi / Fairchild HRISD017-4-383.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd110.pdf MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH