IRFD210PBF VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.38A; 1W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 76+ | 0.94 EUR |
| 120+ | 0.60 EUR |
| 133+ | 0.54 EUR |
| 167+ | 0.43 EUR |
| 177+ | 0.41 EUR |
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Technische Details IRFD210PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFD210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 1.5 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote IRFD210PBF nach Preis ab 0.41 EUR bis 3.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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IRFD210PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.38A; 1W; DIP4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.38A Power dissipation: 1W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 8.2nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 966 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFD210PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 192 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD210PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFD210PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 1.5 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 651 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD210PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD210PBF Produktcode: 118708
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFD210PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFD210PBF | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs HVMDIP 200V 1.5A N-CH MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |