IRFD213 Harris Corporation
Hersteller: Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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| 384+ | 1.27 EUR |
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Technische Details IRFD213 Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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| IRFD213 | Hersteller : HARRIS |
IRFD213 |
auf Bestellung 607 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFD213 | Hersteller : HARRIS |
IRFD213 |
auf Bestellung 4956 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFD213 |
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auf Bestellung 72500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IRFD213 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-Ch 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |