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IRFD224PBF

IRFD224PBF Vishay


sihfd224.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP
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Technische Details IRFD224PBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 380mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFD224PBF IRFD224PBF Hersteller : Vishay sihfd224.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP
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IRFD224PBF IRFD224PBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihfd224.pdf MOSFET N-Chan 250V 0.63 Amp
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IRFD224PBF IRFD224PBF Hersteller : Vishay sihfd224.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP
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IRFD224PBF Hersteller : VISHAY sihfd224.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.63A; Idm: 5A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFD224PBF IRFD224PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfd224.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
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IRFD224PBF Hersteller : VISHAY sihfd224.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.63A; Idm: 5A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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