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IRFD320PBF

IRFD320PBF Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP
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Technische Details IRFD320PBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 400V 490MA 4DIP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 210mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IRFD320PBF IRFD320PBF Vishay Siliconix sihfd320.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 490MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 210mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
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