IRFD9014PBF VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -800mA
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 61+ | 1.19 EUR |
| 93+ | 0.77 EUR |
| 106+ | 0.68 EUR |
| 117+ | 0.61 EUR |
| 124+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
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Technische Details IRFD9014PBF VISHAY
Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 660mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFD9014PBF nach Preis ab 0.57 EUR bis 3.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRFD9014PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -800mA Power dissipation: 1.3W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 5129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9014PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 2038 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9014PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 2038 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9014PBF | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 60V P-CH HEXFET MOSFET H |
auf Bestellung 4162 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRFD9014PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8392 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFD9014PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9014PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 4Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm |
auf Bestellung 2061 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9014PBF Produktcode: 43657 |
Hersteller : Vishay |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: HVMDIP Uds,V: 60 V Id,A: 1,1 A Rds(on),Om: 0,50 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 270/12 /: THT |
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IRFD9014PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |