IRFD9020PBF VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -13A; 1.3W; HVMDIP
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.6A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -13A
Mounting: THT
Case: HVMDIP
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 52+ | 1.39 EUR |
| 55+ | 1.31 EUR |
| 62+ | 1.15 EUR |
| 116+ | 0.62 EUR |
| 123+ | 0.58 EUR |
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Technische Details IRFD9020PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFD9020PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.28 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: HVMDIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IRFD9020PBF nach Preis ab 0.58 EUR bis 3.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IRFD9020PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -13A; 1.3W; HVMDIP Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.6A On-state resistance: 0.28Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 19nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -13A Mounting: THT Case: HVMDIP Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFD9020PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9020PBF | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs HVMDIP 60V 1.6A P-CH MOSFET |
auf Bestellung 3720 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFD9020PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFD9020PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD9020PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.28 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: HVMDIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1384 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9020PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |