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IRFD9110 Harris Corporation

HRISSD79-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Harris Corporation
Description: 0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 15652 Stücke:
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Technische Details IRFD9110 Harris Corporation

Description: 0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFD9110 Hersteller : HARRIS HRISSD79-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd911.pdf IRFD9110
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IRFD9110 Hersteller : HARRIS HRISSD79-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd911.pdf IRFD9110
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IRFD9110 Hersteller : Siliconix HRISSD79-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd911.pdf P-MOSFET 0.7A 100V 1.3W 1.2Ω IRFD9110 TIRFD9110
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IRFD9110 IRFD9110 Hersteller : Vishay sihfd911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
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Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
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Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
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Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
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