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IRFD9210 Vishay

sihfd921.pdf Hersteller: Vishay
P-MOSFET 0.4A 200V 1W 3Ω IRFD9210 TIRFD9210
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Technische Details IRFD9210 Vishay

Description: MOSFET P-CH 200V 400MA 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 240mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFD9210
Produktcode: 155079
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Hersteller : Vishay sihfd921-20953.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: HVMDIP
Uds,V: 200 V
Id,A: 0,4 A
Rds(on),Om: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/8,9
/: THT
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IRFD9210 IRFD9210 Hersteller : Vishay Siliconix sihfd921.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 400MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
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IRFD9210 IRFD9210 Hersteller : Vishay / Siliconix sihfd921-1768377.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFD9210PBF
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