IRFD9220PBF
Produktcode: 31846
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: HD-1
Uds,V: 200
Id,A: 0.6
Rds(on),Om: 1.5
Ciss, pF/Qg, nC: 340/15
/: THT
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote IRFD9220PBF nach Preis ab 1.04 EUR bis 2.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFD9220PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IRFD9220PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -360mA Power dissipation: 1W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IRFD9220PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD9220PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 560 mA, 1.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 560mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: HVMDIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
|
|
IRFD9220PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
| IRFD9220PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
P-Channel 200 V 0.56 A DIP-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
 |
IRFD9220PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 560mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 340mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
 |
IRFD9220PBF | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs HVMDIP 200V .56A P-CH MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |