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IRFD9220PBF

irfd9220pbf.pdf
Produktcode: 31846
Hersteller: IR
Gehäuse: HD-1
Uds,V: 200
Id,A: 0.6
Rds(on),Om: 1.5
Ciss, pF/Qg, nC: 340/15
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IRFD9220PBF IRFD9220PBF Hersteller : Vishay sihfd922.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP
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IRFD9220PBF IRFD9220PBF Hersteller : Vishay sihfd922.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP
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IRFD9220PBF IRFD9220PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AB2DDAB62E469&compId=IRFD9220PBF.pdf?ci_sign=bac7339b6553ddf85e79c1f84182b3572899f0b4 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -360mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFD9220PBF IRFD9220PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AB2DDAB62E469&compId=IRFD9220PBF.pdf?ci_sign=bac7339b6553ddf85e79c1f84182b3572899f0b4 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -360mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
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IRFD9220PBF IRFD9220PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013329300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD9220PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 560 mA, 1.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
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IRFD9220PBF IRFD9220PBF Hersteller : Vishay sihfd922.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP
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IRFD9220PBF IRFD9220PBF Hersteller : Vishay sihfd922.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP
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IRFD9220PBF IRFD9220PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfd922.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 560mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 340mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
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IRFD9220PBF IRFD9220PBF Hersteller : Vishay / Siliconix sihfd922.pdf MOSFETs HVMDIP 200V .56A P-CH MOSFET
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Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 240 V
Idd,A: 0,11 A
Rds(on), Ohm: 14 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 58/2,1
JHGF: SMD
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PMBF107
Hersteller: Philips
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 200
Idd,A: 01.01.2000
Rds(on), Ohm: 0.28
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
verfügbar: 171 Stück
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