| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.25 EUR |
| 10+ | 3.39 EUR |
| 100+ | 2.68 EUR |
| 500+ | 2.18 EUR |
| 1000+ | 1.89 EUR |
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Technische Details IRFDC20PBF Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 190mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFDC20PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFDC20PBF |
 600V, 4.4Ohm, 0.32A, Pbf Транзистори |
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IRFDC20PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
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IRFDC20PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFDC20PBF - N CHANNEL MOSFET, 600V, 320mA, HD-1 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 320 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 1.3 Bauform - Transistor: HVMDIP Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 4.4 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRFDC20PBF | Vishay |
IRFDC20PBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 0.32A 4-Pin HVMDIP - Arrow.com |
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| IRFDC20PBF |
|
600V, 4.4Ohm, 0.32A, Pbf Транзистори
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| IRFDC20PBF |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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| IRFDC20PBF |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFDC20PBF - N CHANNEL MOSFET, 600V, 320mA, HD-1
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 320
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.3
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRFDC20PBF - N CHANNEL MOSFET, 600V, 320mA, HD-1
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 320
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.3
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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| IRFDC20PBF |
|
Hersteller: Vishay
IRFDC20PBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 0.32A 4-Pin HVMDIP - Arrow.com
IRFDC20PBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 0.32A 4-Pin HVMDIP - Arrow.com
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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