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IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4

IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4

Produktcode: 31843
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Hersteller: Vishay
Gehäuse: HD-1
Uds,V: 60
Idd,A: 02.04.2015
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 640/25
JHGF: THT
verfügbar 100 St.:
3 St. - stock Köln
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AnzahlPreis
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Technische Details IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4 Vishay

IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4

Dynamische dv / dt-Bewertung

175 ° C Betriebstemperatur

Schnelles Umschalten

Bleifrei

Hersteller  VISHAY

Transistortyp      N-MOSFET

Polarisierung      unipolar

Drain-Source Spannung       60V

Drainstrom         2.5A

Leistung     1.3W

Gehäuse    DIP4

Widerstand im Leitungszustand   100mΩ

Montage   THT

Produktcode 31843

Weitere Produktangebote IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFD024PBF sihfd024.pdf MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP Транзистори
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IRFD024PBF IRFD024PBF Vishay Siliconix sihfd024.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
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IRFD024PBF IRFD024PBF Vishay / Siliconix sihfd024.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
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IRFD024PBF sihfd024.pdf
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP Транзистори
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IRFD024PBF sihfd024.pdf
IRFD024PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
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IRFD024PBF sihfd024.pdf
IRFD024PBF
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
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LM2901N
Produktcode: 1277
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NATLS13283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
LM2901N
Hersteller: TI
IC > IC Vergleicher
Gehäuse: DIP-14
Beschreibung: Anzahl Kanale: 4; U-Strom, V: ±18; tз, нс: 300; Typ-Ausgang: OK; Uсм, мV: 7; I-verbr., mA: 2;
Udss,V: ±18 V
Id,A: 0.006 A
Bemerkung: -40...+125°C
verfügbar: 217 St.
25 St. - stock Köln
192 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10 St.
AnzahlPreis
1+0.24 EUR
10+0.18 EUR
100+0.14 EUR
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39 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1607
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RC_series.pdf
39 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 39 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 23852 St.
4187 St. - stock Köln
19665 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPreis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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12 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1402
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RC_series.pdf
12 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 12 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 10096 St.
1200 St. - stock Köln
8896 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPreis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1215
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RC_series.pdf
100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 100 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 34210 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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BC639 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 1158
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BC639 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 100
Ic,A: 1
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 1305 St.
50 St. - stock Köln
1255 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPreis
1+0.11 EUR
10+0.1 EUR
100+0.09 EUR
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