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IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4

IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4

Produktcode: 31843
Hersteller: Vishay
Gehäuse: HD-1
Uds,V: 60
Idd,A: 02.04.2015
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 640/25
JHGF: THT
verfügbar 105 St.:
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Technische Details IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4 Vishay

IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4

Dynamische dv / dt-Bewertung

175 ° C Betriebstemperatur

Schnelles Umschalten

Bleifrei

Hersteller  VISHAY

Transistortyp      N-MOSFET

Polarisierung      unipolar

Drain-Source Spannung       60V

Drainstrom         2.5A

Leistung     1.3W

Gehäuse    DIP4

Widerstand im Leitungszustand   100mΩ

Montage   THT

Produktcode 31843

Weitere Produktangebote IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4 nach Preis ab 0.86 EUR bis 2.71 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFD024PBF IRFD024PBF Hersteller : Vishay sihfd024.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 1900 Stücke:
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167+0.86 EUR
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IRFD024PBF IRFD024PBF Hersteller : Vishay sihfd024.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 1900 Stücke:
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500+1.08 EUR
1000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 53
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IRFD024PBF IRFD024PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013329295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFD024PBF IRFD024PBF Hersteller : Vishay sihfd024.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
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IRFD024PBF IRFD024PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfd024.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
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IRFD024PBF IRFD024PBF Hersteller : Vishay / Siliconix sihfd024.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
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Макетная плата 6x8 односторонняя, зеленая
Produktcode: 144390
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Макетная плата 6x8 односторонняя, зеленая
+1
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 60x80мм
Опис: Макетна плата одностороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 594 отвори під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: одностороння
auf Bestellung 261 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 800 St.:
800 St. - erwartet 18.06.2026
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39 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1607
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RC_series.pdf
39 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 39 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 4352 St.
4187 St. - stock Köln
165 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 20000 St.
20000 St. - erwartet 10.05.2026
Anzahl Preis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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12 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1402
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RC_series.pdf
12 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 12 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 10296 St.
1200 St. - stock Köln
9096 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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LM2901N
Produktcode: 1277
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm339 NATLS13283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw en.CD00000532.pdf LM339%2C239%2C2901%28V%29%2CNCV2901%2CMC3302.pdf
LM2901N
Hersteller: TI
IC > IC Vergleicher
Gehäuse: DIP-14
Beschreibung: Anzahl Kanale: 4; U-Strom, V: ±18; tз, нс: 300; Typ-Ausgang: OK; Uсм, мV: 7; I-verbr., mA: 2;
Udss,V: ±18 V
Id,A: 0.006 A
Bemerkung: -40...+125°C
verfügbar: 36 St.
25 St. - stock Köln
11 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.24 EUR
10+0.18 EUR
100+0.14 EUR
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100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1215
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RC_series.pdf
100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 100 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 2100 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 40000 St.:
40000 St. - erwartet 10.05.2026
Anzahl Preis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH