IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4
Produktcode: 31843
Hersteller: VishayGehäuse: HD-1
Uds,V: 60
Idd,A: 02.04.2015
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 640/25
JHGF: THT
verfügbar 22 Stück:
3 Stück - stock Köln
19 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.02 EUR |
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Technische Details IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4 Vishay
IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4
Dynamische dv / dt-Bewertung
175 ° C Betriebstemperatur
Schnelles Umschalten
Bleifrei
Hersteller VISHAY
Transistortyp N-MOSFET
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 60V
Drainstrom 2.5A
Leistung 1.3W
Gehäuse DIP4
Widerstand im Leitungszustand 100mΩ
Montage THT
Produktcode 31843
Weitere Produktangebote IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4 nach Preis ab 0.97 EUR bis 3.98 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFD024PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 1078 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD024PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 1078 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD024PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3410 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFD024PBF | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT IRFD024 |
auf Bestellung 2077 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRFD024PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 5310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD024PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD024PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD024PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD024PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP |
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IRFD024PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4 Mounting: THT Case: DIP4 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.8A On-state resistance: 0.1Ω Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFD024PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4 Mounting: THT Case: DIP4 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.8A On-state resistance: 0.1Ω |
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IRFD9024 Produktcode: 31844 |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: HD-1
Uds,V: 80
Id,A: 1.6
Rds(on),Om: 0.28
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: HD-1
Uds,V: 80
Id,A: 1.6
Rds(on),Om: 0.28
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
/: THT
auf Bestellung 20 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.57 EUR |
10+ | 0.42 EUR |
IRF640 Produktcode: 7926 |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
JHGF: THT
auf Bestellung 446 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.98 EUR |
10+ | 0.84 EUR |
LM311P Produktcode: 23424 |
Hersteller: TI
IC > IC Vergleicher
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Anzahl Kanale: 1; U-Strom, V: 3,5…30; tз, нс: 115; Typ-Ausgang: OK/OЭ; Uсм, мV: 7,5; I-verbr., mA: 7,5;
Udss,V: 3,5...30 V
Id,A: 0.05 A
Bemerkung: 0...+70°C
IC > IC Vergleicher
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Anzahl Kanale: 1; U-Strom, V: 3,5…30; tз, нс: 115; Typ-Ausgang: OK/OЭ; Uсм, мV: 7,5; I-verbr., mA: 7,5;
Udss,V: 3,5...30 V
Id,A: 0.05 A
Bemerkung: 0...+70°C
verfügbar: 413 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.28 EUR |
10+ | 0.24 EUR |
100+ | 0.16 EUR |
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ Produktcode: 25094 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 13522 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.5 EUR |
10+ | 1.45 EUR |
100+ | 1 EUR |
L78L05ABZ-TR Produktcode: 28054 |
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-92
Uin, V: 30
Uout,V: 5
Iout,A: 0.1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Positive Fixed
Temperaturbereich: -40...125
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-92
Uin, V: 30
Uout,V: 5
Iout,A: 0.1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Positive Fixed
Temperaturbereich: -40...125
verfügbar: 318 Stück
erwartet:
2000 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.16 EUR |
10+ | 0.14 EUR |
100+ | 0.13 EUR |
1000+ | 0.12 EUR |