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IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4

IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4

Produktcode: 31843
Hersteller: Vishay
Gehäuse: HD-1
Uds,V: 60
Idd,A: 02.04.2015
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 640/25
JHGF: THT
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Technische Details IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4 Vishay

IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4

Dynamische dv / dt-Bewertung

175 ° C Betriebstemperatur

Schnelles Umschalten

Bleifrei

Hersteller  VISHAY

Transistortyp      N-MOSFET

Polarisierung      unipolar

Drain-Source Spannung       60V

Drainstrom         2.5A

Leistung     1.3W

Gehäuse    DIP4

Widerstand im Leitungszustand   100mΩ

Montage   THT

Produktcode 31843

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFD024PBF IRFD024PBF Hersteller : Vishay sihfd024.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
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IRFD024PBF IRFD024PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013329295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
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IRFD024PBF IRFD024PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfd024.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
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IRFD024PBF IRFD024PBF Hersteller : Vishay / Siliconix sihfd024.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
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Produktcode: 31844
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IRFD9024
Hersteller: IR
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Gehäuse: HD-1
Uds,V: 80
Id,A: 1.6
Rds(on),Om: 0.28
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
/: THT
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IRF640
Produktcode: 7926
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description IRF640.pdf
IRF640
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
JHGF: THT
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
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DRB-15MA (DPRS2-15M-1200) (D-SUB Stecker)
Produktcode: 4467
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DRB-15MA (DPRS2-15M-1200) (D-SUB Stecker)
+1
Hersteller: Vensik
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Interface (außer USB, SATA)
Beschreibung: D-SUB Stifte auf Platte eckig (komp.-Interface) 2-х Reihen, 15 Kontakte
Stecker oder Steckdose: Stecker
Anzahl, Kontakte: 15
Серія: DRB
Механічний монтаж: На плату
Орієнтація в просторі: Кутовий
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4N38A
Produktcode: 3507
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4n38a.pdf
4N38A
Hersteller: LTN
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-6
Typ: Optokoppler
U-isol, kV: 2,5 kV
I-ein/ I-ausg, mA: 80/100 mA
U ausg, V: 80 V
Ton/Toff, µs: 3/3 µs
Роб.темп.,°С: -55…+100°C
auf Bestellung 500 Stück:
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