Weitere Produktangebote IRFH3707TRPBF nach Preis ab 0.24 EUR bis 1.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRFH3707TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 5.4nC |
auf Bestellung 2343 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFH3707TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PQFN T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFH3707TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V |
auf Bestellung 313 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFH3707TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0124 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFH3707TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0124 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH3707TRPBF | Hersteller : International Rectifier |
MOSFET N-CH 30V 12A PQFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFH3707TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V |
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