IRFH5006TRPBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 53+ | 2.73 EUR |
| 66+ | 2.12 EUR |
| 100+ | 1.91 EUR |
| 500+ | 1.79 EUR |
| 1000+ | 1.46 EUR |
| 2000+ | 1.31 EUR |
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Technische Details IRFH5006TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote IRFH5006TRPBF nach Preis ab 1.21 EUR bis 5.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||||
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IRFH5006TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH5006TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFH5006TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC |
auf Bestellung 5337 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFH5006TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH5006TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IRFH5006TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFH5006TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFH5006TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRFH5006TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFH5006TRPBF SMD N channel transistors |
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IRFH5006TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 30 V |
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IRFH5006TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 30 V |
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