Technische Details IRFH5006TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote IRFH5006TRPBF nach Preis ab 1.36 EUR bis 5.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 3558 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 9814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFH5006TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC |
auf Bestellung 5337 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFH5006TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5006TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 2.49 EUR |
| IRFH5006TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3558 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 68+ | 2.62 EUR |
| 84+ | 2.08 EUR |
| 100+ | 1.92 EUR |
| 500+ | 1.65 EUR |
| 1000+ | 1.52 EUR |
| 2000+ | 1.46 EUR |
| IRFH5006TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 9814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 65+ | 2.71 EUR |
| 72+ | 2.43 EUR |
| 100+ | 1.94 EUR |
| 200+ | 1.77 EUR |
| 1000+ | 1.55 EUR |
| 2000+ | 1.43 EUR |
| 4000+ | 1.36 EUR |
| IRFH5006TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.21 EUR |
| IRFH5006TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC
auf Bestellung 5337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.36 EUR |
| 10+ | 3.92 EUR |
| 100+ | 3.14 EUR |
| 500+ | 2.59 EUR |
| 1000+ | 2.14 EUR |
| 2000+ | 2.01 EUR |
| 4000+ | 1.99 EUR |
| IRFH5006TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 43+ | 5.9 EUR |
| 54+ | 4.34 EUR |
| 100+ | 3.21 EUR |