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IRFH5007TRPBF

IRFH5007TRPBF INFINEON


INFN-S-A0012813572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5007TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 3940 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details IRFH5007TRPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRFH5007TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 156W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFH5007TRPBF IRFH5007TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012813572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5007TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 3940 Stücke:
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IRFH5007TRPBF IRFH5007TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfh5007pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 17A; 250W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRFH5007TRPBF IRFH5007TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfh5007-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRFH5007TRPBF IRFH5007TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfh5007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561aad861e98 Description: MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRFH5007TRPBF IRFH5007TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfh5007pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561aad861e98 Description: MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 25 V
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IRFH5007TRPBF IRFH5007TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFH5007_DataSheet_v01_01_EN-1228457.pdf MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 5.9mOhms 65nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRFH5007TRPBF IRFH5007TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfh5007pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 17A; 250W; PQFN5X6
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Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
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