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IRFH5020TRPBF

IRFH5020TRPBF Infineon Technologies

irfh5020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ac6fe1e9e Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 100 V
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Technische Details IRFH5020TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfh5020-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R
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IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfh5020-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R
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250+0.79 EUR
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IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfh5020-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R
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IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfh5020-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R
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IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFH5020_DataSheet_v01_01_EN-3363006.pdf MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 55mOhms 11nC
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IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfh5020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ac6fe1e9e Description: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 100 V
auf Bestellung 6189 Stücke:
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13+1.36 EUR
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IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012813234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1629 Stücke:
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IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012813234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfh5020-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R
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IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfh5020-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R
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IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfh5020-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R
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IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B53C7E3130F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5020pbf.pdf?ci_sign=e3f6da846d9a1b0b329282270b8330e634586bda Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.1A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B53C7E3130F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5020pbf.pdf?ci_sign=e3f6da846d9a1b0b329282270b8330e634586bda Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.1A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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