IRFH5215TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFH5215TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH5215TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.0455 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0455ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote IRFH5215TRPBF nach Preis ab 1.05 EUR bis 3.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFH5215TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH5215TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH5215TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH5215TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH5215TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH5215TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH5215TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH5215TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 20nC |
auf Bestellung 3973 Stücke: Lieferzeit 200-204 Tag (e) |
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IRFH5215TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5215TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.0455 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0455ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IRFH5215TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5215TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.0455 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0455ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IRFH5215TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH5215TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 5A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH5215TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 50 V |
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IRFH5215TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 50 V |
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IRFH5215TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH5215TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 5A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
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