IRFH5215TRPBF Infineon Technologies
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 0.98 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFH5215TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: PQFN (5x6), Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote IRFH5215TRPBF nach Preis ab 1.05 EUR bis 3.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFH5215TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFH5215TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFH5215TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFH5215TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 20nC |
auf Bestellung 3973 Stücke: Lieferzeit 200-204 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFH5215TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5215TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.0455 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0455ohm |
auf Bestellung 5046 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFH5215TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5215TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.0455 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0455ohm |
auf Bestellung 5046 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
IRFH5215TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFH5215TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFH5215TRPBF SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||||
 |
IRFH5215TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFH5215TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |