IRFH5250DTRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFH5250DTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH5250DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.001 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRFH5250DTRPBF nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.73 EUR
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IRFH5250DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH5250DTRPBF | Hersteller : International Rectifier |
Description: IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6115 pF @ 13 V |
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IRFH5250DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH5250DTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5250DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.001 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRFH5250DTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5250DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.001 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 3785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFH5250DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH5250DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH5250DTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH5250DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 1.4mOhms 39nC |
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IRFH5250DTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
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