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IRFH5250TRPBF

IRFH5250TRPBF Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details IRFH5250TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF Infineon Technologies irfr7746pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R
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IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF Infineon Technologies irfr7746pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R
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IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh5250-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R
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IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh5250-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R
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4000+1.51 EUR
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IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF INFINEON INFN-S-A0011703006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
auf Bestellung 3623 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.2 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF INFINEON INFN-S-A0011703006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1913 Stücke:
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78+3.22 EUR
100+2.34 EUR
134+1.61 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh5250-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.64 EUR
76+2.28 EUR
100+2.07 EUR
200+1.49 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.15 EUR
2000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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IRFH5250TRPBF IRFH5250TRPBF Infineon Technologies irfh5250pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b2c791eb8 Description: MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V
auf Bestellung 7389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.44 EUR
10+2.84 EUR
100+1.93 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.42 EUR
2000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFH5250TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R
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4000+1.09 EUR
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IRFH5250TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRFH5250TRPBF
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Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R
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AnzahlPrivatkunde
4000+1.51 EUR
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IRFH5250TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
auf Bestellung 3623 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.2 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFH5250TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1913 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
78+3.22 EUR
100+2.34 EUR
134+1.61 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+3.64 EUR
76+2.28 EUR
100+2.07 EUR
200+1.49 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.15 EUR
2000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V
auf Bestellung 7389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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5+4.44 EUR
10+2.84 EUR
100+1.93 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.42 EUR
2000+1.36 EUR
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