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IRFH5301TRPBF

IRFH5301TRPBF Infineon Technologies

infineonirfh5301datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 5998 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
369+0.48 EUR
374+0.46 EUR
380+0.45 EUR
386+0.43 EUR
500+0.42 EUR
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Technische Details IRFH5301TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 110W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Infineon Technologies infineonirfh5301datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
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auf Bestellung 5998 Stücke:
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245+0.73 EUR
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380+0.39 EUR
386+0.37 EUR
500+0.36 EUR
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Mindestbestellmenge: 245 Stücke
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IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Infineon Technologies infineonirfh5301datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
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218+0.8 EUR
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IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Infineon Technologies infineonirfh5301datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
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auf Bestellung 10106 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 492 Stücke
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IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF INFINEON INFN-S-A0012814063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
auf Bestellung 11732 Stücke:
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100+2.39 EUR
250+1.3 EUR
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2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFH5301_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 1.85mOhms 37nC
auf Bestellung 2167 Stücke:
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2+3.33 EUR
10+2.12 EUR
100+1.25 EUR
500+1 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Infineon Technologies irfh5301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b477b1ebe Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V
auf Bestellung 4668 Stücke:
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6+3.53 EUR
10+2.24 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF INFINEON INFN-S-A0012814063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
auf Bestellung 11732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.65 EUR
98+2.39 EUR
250+1.3 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.96 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.58 EUR
8000+0.56 EUR
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8000+0.57 EUR
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245+0.73 EUR
363+0.46 EUR
369+0.44 EUR
374+0.42 EUR
380+0.39 EUR
386+0.37 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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218+0.8 EUR
223+0.76 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.67 EUR
4000+0.63 EUR
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auf Bestellung 22998 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
492+1.34 EUR
547+1.19 EUR
1000+1.07 EUR
10000+0.94 EUR
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547+1.19 EUR
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10000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 492 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
auf Bestellung 11732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.39 EUR
250+1.3 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 1.85mOhms 37nC
auf Bestellung 2167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.33 EUR
10+2.12 EUR
100+1.25 EUR
500+1 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFH5301TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V
auf Bestellung 4668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.53 EUR
10+2.24 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
auf Bestellung 11732 Stücke:
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69+3.65 EUR
98+2.39 EUR
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