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IRFH6200TRPBF

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Produktcode: 150522
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Verschiedene Bauteile > Other components 3

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IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Infineon Technologies irfh6200pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e9b131ed0 Description: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V
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IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Infineon Technologies infineonirfh6200datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.29 EUR
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500+1.38 EUR
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IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Infineon Technologies infineonirfh6200datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3230 Stücke:
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500+1.38 EUR
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IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813949-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.27 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.76 EUR
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auf Bestellung 4000 Stücke:
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45+3.88 EUR
69+2.51 EUR
100+1.81 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.3 EUR
2000+1.19 EUR
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auf Bestellung 4000 Stücke:
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45+3.88 EUR
69+2.45 EUR
100+1.74 EUR
500+1.37 EUR
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2000+1.07 EUR
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IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Infineon Technologies irfh6200pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e9b131ed0 Description: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V
auf Bestellung 7611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.14 EUR
10+2.65 EUR
50+2 EUR
100+1.8 EUR
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IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813949-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
auf Bestellung 3560 Stücke:
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52+4.82 EUR
73+3.2 EUR
100+2.27 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.76 EUR
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IRFH6200TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
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500+1.38 EUR
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IRFH6200TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
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AnzahlPrivatkunde
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1000+1.76 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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69+2.51 EUR
100+1.81 EUR
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1000+1.3 EUR
2000+1.19 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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69+2.45 EUR
100+1.74 EUR
500+1.37 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V
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IRFH6200TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
auf Bestellung 3560 Stücke:
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52+4.82 EUR
73+3.2 EUR
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