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IRFH6200TRPBF

IRFH6200TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfh6200-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details IRFH6200TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 750 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Hersteller : INFINEON irfh6200pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e9b131ed0 Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 750 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V
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IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFH6200_DataSheet_v01_01_EN-3363007.pdf MOSFETs 20V SINGLE N-CH 1.2mOhms 155nC
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfh6200-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
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IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B9747C2264F1A303005056AB0C4F&compId=irfh6200pbf.pdf?ci_sign=62fd898ae5f059ad6aae7ce81c47a4d0a9e78a88 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 45A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 45A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B9747C2264F1A303005056AB0C4F&compId=irfh6200pbf.pdf?ci_sign=62fd898ae5f059ad6aae7ce81c47a4d0a9e78a88 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 45A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 45A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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