Technische Details IRFH7921TRPBF Infineon / IR
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 34A; 3.1W; PQFN8, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HEXFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 34A, Power dissipation: 3.1W, Case: PQFN8, Mounting: SMD, Kind of package: reel, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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IRFH7921TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 34A; 3.1W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 34A Power dissipation: 3.1W Case: PQFN8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH7921TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/34A PQFN |
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IRFH7921TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 34A; 3.1W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 34A Power dissipation: 3.1W Case: PQFN8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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