IRFH7932TRPBF Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 564+ | 0.97 EUR |
| 1000+ | 0.88 EUR |
| 10000+ | 0.77 EUR |
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Technische Details IRFH7932TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.4W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRFH7932TRPBF nach Preis ab 0.74 EUR bis 1.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRFH7932TRPBF | Infineon Technologies |
  Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFH7932TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/104A PQFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 15 V |
auf Bestellung 4084 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFH7932TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC |
auf Bestellung 4484 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFH7932TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.4W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2711 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFH7932TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.4W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2711 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFH7932TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 564+ | 0.97 EUR |
| 1000+ | 0.88 EUR |
| IRFH7932TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/104A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/104A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 15 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 406+ | 1.12 EUR |
| IRFH7932TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC
auf Bestellung 4484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.44 EUR |
| 10+ | 1.23 EUR |
| 100+ | 1.08 EUR |
| 500+ | 0.94 EUR |
| 1000+ | 0.84 EUR |
| 2000+ | 0.79 EUR |
| 4000+ | 0.74 EUR |
| IRFH7932TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFH7932TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)