Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH8201TRPBF
IRFH8201TRPBF

IRFH8201TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfh8201-datasheet-v02_04-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRFH8201TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 156W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm.

Weitere Produktangebote IRFH8201TRPBF nach Preis ab 1.11 EUR bis 4.84 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Infineon Technologies infineonirfh8201datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Infineon Technologies infineonirfh8201datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Infineon Technologies irfh8201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f75651f0a Description: MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 13 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh8201-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Infineon Technologies infineonirfh8201datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 19027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+1.86 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.49 EUR
10000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 355 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh8201-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.39 EUR
79+2.21 EUR
100+1.77 EUR
200+1.65 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.59 EUR
2000+1.56 EUR
4000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF INFINEON 2333713.pdf Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
auf Bestellung 7680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
118+1.82 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.39 EUR
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRFH8201-DataSheet-v02_04-EN.pdf MOSFETs MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
auf Bestellung 3046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.36 EUR
10+2.76 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.39 EUR
2000+1.36 EUR
4000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF Infineon Technologies irfh8201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f75651f0a Description: MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 13 V
auf Bestellung 7947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.46 EUR
10+2.87 EUR
100+1.95 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.43 EUR
2000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF INFINEON 2333713.pdf Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
auf Bestellung 7680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.84 EUR
80+2.93 EUR
118+1.82 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.39 EUR
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBF infineonirfh8201datasheetv0204en.pdf
IRFH8201TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBF infineonirfh8201datasheetv0204en.pdf
IRFH8201TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBF irfh8201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f75651f0a
IRFH8201TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 13 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBF infineon-irfh8201-datasheet-v02_04-en.pdf
IRFH8201TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBF infineonirfh8201datasheetv0204en.pdf
IRFH8201TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 19027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
355+1.86 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.49 EUR
10000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 355 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBF infineon-irfh8201-datasheet-v02_04-en.pdf
IRFH8201TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
74+2.39 EUR
79+2.21 EUR
100+1.77 EUR
200+1.65 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.59 EUR
2000+1.56 EUR
4000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBF 2333713.pdf
IRFH8201TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
auf Bestellung 7680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.93 EUR
118+1.82 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.39 EUR
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBF Infineon-IRFH8201-DataSheet-v02_04-EN.pdf
IRFH8201TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
auf Bestellung 3046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.36 EUR
10+2.76 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.39 EUR
2000+1.36 EUR
4000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBF irfh8201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f75651f0a
IRFH8201TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 13 V
auf Bestellung 7947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.46 EUR
10+2.87 EUR
100+1.95 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.43 EUR
2000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8201TRPBF 2333713.pdf
IRFH8201TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
auf Bestellung 7680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+4.84 EUR
80+2.93 EUR
118+1.82 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.39 EUR
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH