Technische Details IRFH8303TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 3.7W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm.
Weitere Produktangebote IRFH8303TRPBF nach Preis ab 1.06 EUR bis 5.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 688000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 1371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 3502 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFH8303TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 3.7W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm |
auf Bestellung 406 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 3970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 24 V |
auf Bestellung 481 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET N-CH 30V 100A PQFN |
auf Bestellung 1924 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFH8303TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 3.7W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm |
auf Bestellung 406 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFH8303TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 1.06 EUR |
| IRFH8303TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 688000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 1.46 EUR |
| IRFH8303TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 433+ | 1.51 EUR |
| 500+ | 1.43 EUR |
| 1000+ | 1.31 EUR |
| IRFH8303TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 433+ | 1.51 EUR |
| 500+ | 1.43 EUR |
| 1000+ | 1.31 EUR |
| IRFH8303TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 3.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 3.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.17 EUR |
| IRFH8303TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 77+ | 2.27 EUR |
| 85+ | 2.03 EUR |
| 104+ | 1.62 EUR |
| 200+ | 1.49 EUR |
| 500+ | 1.25 EUR |
| 1000+ | 1.2 EUR |
| 2000+ | 1.15 EUR |
| IRFH8303TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 24 V
Description: MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 24 V
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.2 EUR |
| 10+ | 2.53 EUR |
| 100+ | 1.84 EUR |
| IRFH8303TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
MOSFETs MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
auf Bestellung 1924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.64 EUR |
| 10+ | 2.56 EUR |
| 100+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.52 EUR |
| 1000+ | 1.49 EUR |
| 2000+ | 1.46 EUR |
| 4000+ | 1.25 EUR |
| IRFH8303TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 3.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 3.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 46+ | 5.45 EUR |
| 72+ | 3.22 EUR |
| 100+ | 2.17 EUR |
| IRFH8303TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)