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IRFH8311TRPBF

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Produktcode: 151197
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfh8311-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R
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IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfh8311-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R
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IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfh8311pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f94c91f12 Description: MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 10 V
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IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfh8311datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R
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IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfh8311-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R
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IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFH8311_DataSheet_v01_01_EN-3363031.pdf MOSFETs MOSFET, 30V, 50A, 2 33nC Qg, PQFN5x6
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IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfh8311pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f94c91f12 Description: MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 10 V
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IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012814049-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 581 Stücke:
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IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012814049-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfh8311-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R
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IRFH8311TRPBF IRFH8311TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRFH8311TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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