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IRFH8318TRPBF Транзистор

Produktcode: 196964
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Transistoren > MOSFET N-CH

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508+0.29 EUR
570+0.25 EUR
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IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Infineon Technologies irfs40107ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
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418+0.35 EUR
459+0.31 EUR
508+0.27 EUR
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IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Infineon Technologies irfh8318pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fa4111f16 Description: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V
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10+1.06 EUR
100+0.76 EUR
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2000+0.54 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V
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9+2.04 EUR
14+1.29 EUR
100+0.85 EUR
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
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Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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14+1.29 EUR
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1000+0.6 EUR
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