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IRFH8324TRPBF

IRFH8324TRPBF Infineon Technologies

infineonirfh8324datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1712 Stücke:
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Technische Details IRFH8324TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 54W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
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IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh8324-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
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auf Bestellung 10387 Stücke:
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1095+0.61 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1095 Stücke
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auf Bestellung 3300 Stücke:
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1095+0.61 EUR
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auf Bestellung 1526 Stücke:
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IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Infineon Technologies infineonirfh8324datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.69 EUR
264+0.65 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
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IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Infineon Technologies infineonirfh8324datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+0.73 EUR
366+0.46 EUR
369+0.44 EUR
507+0.31 EUR
512+0.3 EUR
655+0.23 EUR
1005+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
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IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Infineon Technologies irfh8324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fb3581f1a Description: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
31+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFH8324_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC
auf Bestellung 3335 Stücke:
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2+2.28 EUR
10+1.39 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.61 EUR
4000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
auf Bestellung 3931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+2.55 EUR
159+1.46 EUR
217+0.99 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
auf Bestellung 3931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
159+1.46 EUR
217+0.99 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFH8324TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
338+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 338 Stücke
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4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRFH8324TRPBF
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Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
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1095+0.61 EUR
10000+0.54 EUR
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1095+0.61 EUR
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1095+0.61 EUR
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Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
254+0.69 EUR
264+0.65 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
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AnzahlPrivatkunde
242+0.73 EUR
366+0.46 EUR
369+0.44 EUR
507+0.31 EUR
512+0.3 EUR
655+0.23 EUR
1005+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
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Description: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
auf Bestellung 61 Stücke:
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29+0.74 EUR
31+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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MOSFETs 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC
auf Bestellung 3335 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.28 EUR
10+1.39 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.61 EUR
4000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBF INFN-S-A0012813227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8324TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
auf Bestellung 3931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
99+2.55 EUR
159+1.46 EUR
217+0.99 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFH8324TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
auf Bestellung 3931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.55 EUR
159+1.46 EUR
217+0.99 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH