
IRFH8330TRPBF Infineon Technologies
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Anzahl | Preis |
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Technische Details IRFH8330TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0053 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 35W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRFH8330TRPBF nach Preis ab 0.62 EUR bis 1.23 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFH8330TRPBF | Hersteller : Infineon / IR |
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IRFH8330TRPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRFH8330TRPBF | Hersteller : INFINEON |
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IRFH8330TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFH8330TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFH8330TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFH8330TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V |
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IRFH8330TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V |
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