Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRFH8337TR2PBF
IRFH8337TR2PBF

IRFH8337TR2PBF


IRFH8337TR2PbF.pdf
Produktcode: 98279
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRFH8337TR2PBF

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFH8337TR2PBF IRFH8337TR2PBF Hersteller : Infineon / IR irfh8337pbf-1169465.pdf MOSFET MOSFT 30V 25A 6.6mOhm 9.6nC Qg
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8337TR2PBF IRFH8337TR2PBF Hersteller : Infineon Technologies IRFH8337TR2PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH