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IRFH9310TRPBF

IRFH9310TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details IRFH9310TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0037 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
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IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
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IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BAE9CF58A4F1A303005056AB0C4F&compId=irfh9310pbf.pdf?ci_sign=48812bd2ff057ffc8ba4f95f0f18c126be688947 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; 3.1W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
40+1.79 EUR
48+1.52 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
250+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; 3.1W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
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IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
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103+1.34 EUR
200+1.21 EUR
500+0.98 EUR
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2000+0.73 EUR
4000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 69
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IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFH9310_DataSheet_v01_01_EN-3363019.pdf MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 7.7mOhms 11nC
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10+1.80 EUR
100+1.26 EUR
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1000+0.95 EUR
2000+0.90 EUR
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IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27 Description: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
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10+1.84 EUR
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1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Hersteller : INFINEON 1915661.pdf Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0037 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Hersteller : INFINEON 1915661.pdf Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0037 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
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IRFH9310TRPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27 P-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6)
auf Bestellung 2 Stücke:
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
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