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IRFH9310TRPBF

IRFH9310TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details IRFH9310TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
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IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
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IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 14944 Stücke:
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69+2.55 EUR
75+2.32 EUR
103+1.65 EUR
200+1.52 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.12 EUR
2000+0.99 EUR
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IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF INFINEON irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27 Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
250+1.74 EUR
1000+1.29 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFH9310_DataSheet_v01_01_EN-3363019.pdf MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 7.7mOhms 11nC
auf Bestellung 43 Stücke:
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2+3.08 EUR
10+2.14 EUR
100+1.55 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Infineon Technologies irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27 Description: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
10+2.19 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF INFINEON irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27 Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3004 Stücke:
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57+4.4 EUR
83+2.81 EUR
250+1.74 EUR
1000+1.29 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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IRFH9310TRPBF International Rectifier irfh9310pbf.pdf P-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Транзистори
auf Bestellung 2 Stücke:
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2+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
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Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
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Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 14944 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
69+2.55 EUR
75+2.32 EUR
103+1.65 EUR
200+1.52 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.12 EUR
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IRFH9310TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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10+2.14 EUR
100+1.55 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.12 EUR
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IRFH9310TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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AnzahlPrivatkunde
7+3.14 EUR
10+2.19 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.13 EUR
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IRFH9310TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+4.4 EUR
83+2.81 EUR
250+1.74 EUR
1000+1.29 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBF irfh9310pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
P-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Транзистори
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2+5.11 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH