IRFHM3911TRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IRFHM3911TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 29W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote IRFHM3911TRPBF nach Preis ab 0.37 EUR bis 2.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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IRFHM3911TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFHM3911TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFHM3911TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFHM3911TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFHM3911TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFHM3911TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
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IRFHM3911TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V |
auf Bestellung 5936 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFHM3911TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFHM3911TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.092 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm |
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IRFHM3911TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.092 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm |
auf Bestellung 4176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFHM3911TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |