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IRFHM792TRPBF

IRFHM792TRPBF INFINEON

INFN-S-A0012813951-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM792TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.164ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 10.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.164ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 10.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+1.21 EUR
1000+1.11 EUR
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Technische Details IRFHM792TRPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRFHM792TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.8A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.164ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 10.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.164ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 10.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFHM792TRPBF IRFHM792TRPBF Infineon / IR Infineon_IRFHM792_DataSheet_v01_01_EN-1228388.pdf MOSFET 100V DUAL N-CH HEXFET
auf Bestellung 20418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+2.26 EUR
100+1.75 EUR
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IRFHM792TRPBF IRFHM792TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813951-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFHM792TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A
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Verlustleistung, p-Kanal: 10.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
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Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.164ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 10.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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116+2.01 EUR
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IRFHM792TRPBF International Rectifier HiRel Products irfhm792pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562312361f3f Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 8-Pin PQFN EP T/R
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Mindestbestellmenge: 649 Stücke
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Hersteller: Infineon / IR
MOSFET 100V DUAL N-CH HEXFET
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10+2.26 EUR
100+1.75 EUR
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IRFHM792TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM792TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.8A
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.164ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 10.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.164ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 10.4W
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Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 8-Pin PQFN EP T/R
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