IRFHM830TRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V
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Technische Details IRFHM830TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFHM830TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3800 µohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 2.7W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm.
Weitere Produktangebote IRFHM830TRPBF nach Preis ab 0.56 EUR bis 2.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms |
auf Bestellung 1029 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 3860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V |
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IRFHM830TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHM830TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3800 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 2.7W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFHM830TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 731+ | 0.75 EUR |
| IRFHM830TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.05 EUR |
| 100+ | 0.85 EUR |
| 500+ | 0.69 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 2000+ | 0.6 EUR |
| 4000+ | 0.59 EUR |
| IRFHM830TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 126+ | 1.16 EUR |
| 164+ | 0.88 EUR |
| 185+ | 0.76 EUR |
| 205+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| 1000+ | 0.56 EUR |
| IRFHM830TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V
auf Bestellung 7703 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 2.38 EUR |
| 12+ | 1.5 EUR |
| 100+ | 1 EUR |
| 500+ | 0.78 EUR |
| 1000+ | 0.71 EUR |
| 2000+ | 0.65 EUR |
| IRFHM830TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM830TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
Description: INFINEON - IRFHM830TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFHM830TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 183 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
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