IRFHM830TRPBF

IRFHM830TRPBF Infineon Technologies


infineon-irfhm830-datasheet-v02_04-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
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Technische Details IRFHM830TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFHM830TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.003 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfhm830-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
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IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfhm830-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
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IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfhm830pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562334f61f47 Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V
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IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFHM830_DataSheet_v02_04_EN-3363340.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms
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Mindestbestellmenge: 3
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IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfhm830pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562334f61f47 Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 8
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IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF Hersteller : INFINEON 2332322.pdf Description: INFINEON - IRFHM830TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.003 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfhm830-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
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IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfhm830-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
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IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfhm830pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Kind of package: reel
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
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IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfhm830pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Kind of package: reel
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
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