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IRFHM8326TRPBFXTMA1

IRFHM8326TRPBFXTMA1 INFINEON

irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
177+1.42 EUR
254+0.92 EUR
327+0.65 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Technische Details IRFHM8326TRPBFXTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IRFHM8326TRPBFXTMA1 nach Preis ab 0.42 EUR bis 1.93 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFHM8326TRPBFXTMA1 IRFHM8326TRPBFXTMA1 INFINEON irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3948 Stücke:
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177+1.42 EUR
254+0.92 EUR
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1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
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IRFHM8326TRPBFXTMA1 IRFHM8326TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b Description: TRENCH <= 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.93 EUR
18+1.21 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM8326TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b IRFHM8326TRPBFXTMA1
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.74 EUR
324+0.54 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.48 EUR
4000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
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IRFHM8326TRPBFXTMA1 irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b
IRFHM8326TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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Supplier Device Package: 8-PQFN (3.1x3.1)
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Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: Infineon Technologies
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