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IRFHS8342TRPBF

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Produktcode: 180301
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfhs8342-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
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IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFHS8342_DataSheet_v01_01_EN-3363317.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 4.2nC
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IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012813428-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012813428-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
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IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfhs8342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623992e1f5f Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
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IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfhs8342pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 9.9A; 2.1W; PQFN2X2
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PQFN2X2
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 9.9A
Drain-source voltage: 25V
Kind of channel: enhancement
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