Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFHS8342TRPBF
IRFHS8342TRPBF

IRFHS8342TRPBF Infineon Technologies


infineon-irfhs8342-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRFHS8342TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote IRFHS8342TRPBF nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.14 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfhs8342-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfhs8342-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfhs8342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623992e1f5f Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.29 EUR
8000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfhs8342-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
359+0.41 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
2500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 359
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfhs8342-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
347+0.43 EUR
348+0.41 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 347
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFHS8342_DataSheet_v01_01_EN-3363317.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 4.2nC
auf Bestellung 3417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.12 EUR
10+0.75 EUR
100+0.50 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.31 EUR
4000+0.28 EUR
8000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfhs8342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623992e1f5f Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 27993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.14 EUR
23+0.77 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.33 EUR
2000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012813428-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012813428-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfhs8342-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBF
Produktcode: 180301
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irfhs8342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623992e1f5f Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfhs8342-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfhs8342-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHS8342TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfhs8342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623992e1f5f IRFHS8342TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH