Weitere Produktangebote IRFHS8342TRPBF nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 3818 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 4.2nC |
auf Bestellung 3417 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFHS8342TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFHS8342TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFHS8342TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.26 EUR |
| IRFHS8342TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.27 EUR |
| IRFHS8342TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.27 EUR |
| IRFHS8342TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 359+ | 0.49 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| 2500+ | 0.42 EUR |
| IRFHS8342TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 347+ | 0.51 EUR |
| 348+ | 0.5 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| IRFHS8342TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 4.2nC
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 4.2nC
auf Bestellung 3417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.33 EUR |
| 10+ | 0.89 EUR |
| 100+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| 4000+ | 0.33 EUR |
| 8000+ | 0.29 EUR |
| IRFHS8342TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFHS8342TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)




