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IRFHS9301TRPBF

IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfhs9301-datasheet-v01_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.35 EUR
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Technische Details IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.037 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 2.1W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFHS9301TRPBF IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies irfhs9301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a01c1f61 Description: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.37 EUR
8000+0.36 EUR
12000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRFHS9301TRPBF IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies infineon-irfhs9301-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.4 EUR
8000+0.38 EUR
12000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRFHS9301TRPBF IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies infineon-irfhs9301-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.4 EUR
8000+0.39 EUR
12000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRFHS9301TRPBF IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies infineon-irfhs9301-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+1.06 EUR
230+0.75 EUR
290+0.58 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
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IRFHS9301TRPBF IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFHS9301_DataSheet_v01_01_EN-3363459.pdf MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 37mOhms 6.9nC
auf Bestellung 28042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.83 EUR
100+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.43 EUR
4000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFHS9301TRPBF IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies irfhs9301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a01c1f61 Description: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
auf Bestellung 22252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
23+0.92 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IRFHS9301TRPBF IRFHS9301TRPBF INFINEON irfhs9301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a01c1f61 Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.037 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
auf Bestellung 27455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.08 EUR
194+1.2 EUR
284+0.76 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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IRFHS9301TRPBF IRFHS9301TRPBF INFINEON irfhs9301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a01c1f61 Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.037 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
auf Bestellung 27455 Stücke:
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120+2.08 EUR
194+1.2 EUR
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1000+0.46 EUR
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IRFHS9301TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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AnzahlPrivatkunde
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8000+0.36 EUR
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8000+0.38 EUR
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
165+1.06 EUR
230+0.75 EUR
290+0.58 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
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MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 37mOhms 6.9nC
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500+0.52 EUR
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IRFHS9301TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
auf Bestellung 22252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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17+1.27 EUR
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100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.44 EUR
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IRFHS9301TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.037 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
auf Bestellung 27455 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
120+2.08 EUR
194+1.2 EUR
284+0.76 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFHS9301TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.037 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
auf Bestellung 27455 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
120+2.08 EUR
194+1.2 EUR
284+0.76 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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