IRFHS9351TRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
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Technische Details IRFHS9351TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote IRFHS9351TRPBF nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.60 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IRFHS9351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFHS9351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFHS9351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX |
auf Bestellung 6404 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFHS9351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 3800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFHS9351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2) Part Status: Active |
auf Bestellung 12698 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFHS9351TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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IRFHS9351TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 746 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFHS9351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFHS9351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFHS9351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFHS9351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R |
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| IRFHS9351TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFHS9351TRPBF SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |