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IRFHS9351TRPBF

IRFHS9351TRPBF Infineon Technologies


infineon-irfhs9351-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details IRFHS9351TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRFHS9351TRPBF IRFHS9351TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFHS9351_DataSheet_v01_01_EN-3363166.pdf MOSFETs DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX
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IRFHS9351TRPBF IRFHS9351TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfhs9351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a8d41f63 Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
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IRFHS9351TRPBF IRFHS9351TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFHS9351TRPBF IRFHS9351TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFHS9351TRPBF IRFHS9351TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 181irfhs9351pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
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IRFHS9351TRPBF IRFHS9351TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 181irfhs9351pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
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IRFHS9351TRPBF IRFHS9351TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfhs9351-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
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IRFHS9351TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfhs9351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a8d41f63 IRFHS9351TRPBF SMD P channel transistors
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IRFHS9351TRPBF IRFHS9351TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfhs9351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a8d41f63 Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
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