IRFHS9351TRPBF Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.55 EUR |
| 10+ | 0.95 EUR |
| 100+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.39 EUR |
| 2500+ | 0.35 EUR |
| 4000+ | 0.33 EUR |
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Technische Details IRFHS9351TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFHS9351TRPBF nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFNPart Status: Active Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.4W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFHS9351TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFHS9351TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFHS9351TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Preis |
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| 12+ | 1.57 EUR |
| 18+ | 0.98 EUR |
| 100+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| 2000+ | 0.39 EUR |
| IRFHS9351TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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| IRFHS9351TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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