IRFI131ONPBF INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 31+ | 2.35 EUR |
| 35+ | 2.1 EUR |
| 41+ | 1.76 EUR |
| 44+ | 1.66 EUR |
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Technische Details IRFI131ONPBF INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HEXFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 22A, Power dissipation: 45W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 36mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 80nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IRFI131ONPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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