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Technische Details IRFI530GPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFI530GPBF nach Preis ab 1.27 EUR bis 4.01 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFI530GPBF | Hersteller : Vishay |
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IRFI530GPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
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IRFI530GPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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IRFI530GPBF Produktcode: 163016
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IRFI530GPBF | Hersteller : Vishay |
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IRFI530GPBF | Hersteller : Vishay |
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IRFI530GPBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.9A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.9A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFI530GPBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.9A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.9A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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