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IRFI530GPBF

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Produktcode: 163016
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Transistoren > MOSFET N-CH

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103+1.73 EUR
119+1.48 EUR
250+1.43 EUR
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IRFI530GPBF IRFI530GPBF Vishay 90180.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
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100+1.87 EUR
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79+2.26 EUR
100+1.87 EUR
250+1.58 EUR
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IRFI530GPBF IRFI530GPBF Vishay Semiconductors 90180.pdf MOSFETs TO220 100V 9.7A N-CH MOSFET
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1+5.11 EUR
10+2.51 EUR
100+2.26 EUR
500+1.83 EUR
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IRFI530GPBF IRFI530GPBF Vishay Siliconix 90180.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.21 EUR
10+3.37 EUR
50+2.57 EUR
100+2.31 EUR
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IRFI530GPBF
Hersteller: Vishay
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Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
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