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IRFI530NPBF

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Produktcode: 199356
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFI530NPBF IRFI530NPBF Infineon Technologies 3640720055479163irfi530npbf.pdffileid5546d462533600a401535624411f1f8c.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IRFI530NPBF IRFI530NPBF Infineon Technologies 3640720055479163irfi530npbf.pdffileid5546d462533600a401535624411f1f8c.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IRFI530NPBF IRFI530NPBF Infineon Technologies infineonirfi530ndsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IRFI530NPBF IRFI530NPBF Infineon Technologies irfi530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535624411f1f8c Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
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IRFI530NPBF IRFI530NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFI530N_DS_v01_02_EN-1732115.pdf MOSFETs MOSFT 100V 11A 110mOhm 29.3nC
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IRFI530NPBF IRFI530NPBF INFINEON INFN-S-A0003068006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFI530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.11 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFI530NPBF IRFI530NPBF Infineon Technologies infineonirfi530ndsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IRFI530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IRFI530NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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133+1.31 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
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Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
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MOSFETs MOSFT 100V 11A 110mOhm 29.3nC
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IRFI530NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.11 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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