IRFI530NPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFI530NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFI530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.11 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFI530NPBF nach Preis ab 0.91 EUR bis 1.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IRFI530NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V |
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IRFI530NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 100V 11A 110mOhm 29.3nC |
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IRFI530NPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFI530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.11 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRFI530NPBF Produktcode: 199356 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFI530NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IRFI530NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IRFI530NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 29.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFI530NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 29.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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