IRFI540NPBF Infineon Technologies
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| 17+ | 3.09 EUR |
| 100+ | 2.56 EUR |
| 500+ | 2.3 EUR |
| 1000+ | 2.05 EUR |
| 2000+ | 1.88 EUR |
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Technische Details IRFI540NPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO220AB FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFI540NPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRFI540NPBF | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IRFI540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.052 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 20 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: - Verlustleistung Pd: 42 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IRFI540NPBF Produktcode: 13478 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFI540NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
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IRFI540NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
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IRFI540NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
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IRFI540NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 62.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFI540NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
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IRFI540NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 62.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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