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IRFI540NPBF

IRFI540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA2CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi540n.pdf?ci_sign=a8e11751173571fb7cd4435d05e530054609bd50 Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Gate charge: 62.7nC
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 42W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
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Technische Details IRFI540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IRFI540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.052 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRFI540NPBF IRFI540NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0003068009-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFI540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.052 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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irfi540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356244eca1f90 Transistoren > MOSFET N-CH
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Gate charge: 62.7nC
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 42W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
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IRFI540NPBF IRFI540NPBF Hersteller : Infineon Technologies irfi540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356244eca1f90 Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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IRFI540NPBF IRFI540NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRFI540N-DS-v01_02-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 18A 52mOhm 62.7nC
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auf Bestellung 4718 Stücke:
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