IRFI540NPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFI540NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFI540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.052 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFI540NPBF nach Preis ab 0.73 EUR bis 2.82 EUR
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IRFI540NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
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IRFI540NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 62.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFI540NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 62.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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IRFI540NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
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IRFI540NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 18A 52mOhm 62.7nC |
auf Bestellung 2216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFI540NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3574 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFI540NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
auf Bestellung 4718 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI540NPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFI540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.052 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRFI540NPBF Produktcode: 13478
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFI540NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
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IRFI540NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
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