auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 14+ | 3.72 EUR |
| 17+ | 3.09 EUR |
| 100+ | 2.47 EUR |
| 250+ | 2.28 EUR |
| 500+ | 2.07 EUR |
| 1000+ | 1.79 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFI620GPBF Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFI620GPBF nach Preis ab 2.24 EUR bis 4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFI620GPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V |
auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IRFI620GPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFI620GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.1 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm |
auf Bestellung 623 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
 |
IRFI620GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
 |
IRFI620GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
IRFI620GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
| IRFI620GPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.1A; Idm: 16A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
| IRFI620GPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.1A; Idm: 16A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |