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IRFI830GPBF

IRFI830GPBF Vishay

91159.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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Technische Details IRFI830GPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFI830GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.1 A, 1.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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IRFI830GPBF IRFI830GPBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F1E10F882E143&compId=IRFI830G.pdf?ci_sign=8f8749a6e108da4639eccf899ae2ea783e909890 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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IRFI830GPBF IRFI830GPBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F1E10F882E143&compId=IRFI830G.pdf?ci_sign=8f8749a6e108da4639eccf899ae2ea783e909890 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFI830GPBF IRFI830GPBF Hersteller : Vishay 91159.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFI830GPBF IRFI830GPBF Hersteller : Vishay Semiconductors tf-irfi830gpbf.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
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IRFI830GPBF IRFI830GPBF Hersteller : Vishay Siliconix tf-irfi830gpbf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
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10+2.64 EUR
100+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IRFI830GPBF IRFI830GPBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013608716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFI830GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.1 A, 1.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 249 Stücke:
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IRFI830GPBF IRFI830GPBF Hersteller : Vishay 91159.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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