Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFIB6N60APBF Vishay
Description: VISHAY - IRFIB6N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRFIB6N60APBF nach Preis ab 1.46 EUR bis 8.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFIB6N60APBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IRFIB6N60APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.5A Power dissipation: 60W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
IRFIB6N60APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
IRFIB6N60APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
IRFIB6N60APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IRFIB6N60APBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 600V 5.5A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 5163 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IRFIB6N60APBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IRFIB6N60APBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFIB6N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFIB6N60APBF |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 700+ | 1.46 EUR |
| IRFIB6N60APBF |
|
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 18+ | 4.16 EUR |
| 24+ | 3 EUR |
| IRFIB6N60APBF |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 34+ | 4.37 EUR |
| 46+ | 3.11 EUR |
| IRFIB6N60APBF |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 34+ | 4.37 EUR |
| 46+ | 3.18 EUR |
| IRFIB6N60APBF |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 29+ | 5.14 EUR |
| IRFIB6N60APBF |
|
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 5.5A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 600V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.62 EUR |
| 10+ | 4.19 EUR |
| 100+ | 3.64 EUR |
| 500+ | 3.08 EUR |
| 1000+ | 2.83 EUR |
| IRFIB6N60APBF |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 8.13 EUR |
| 50+ | 4.24 EUR |
| 100+ | 3.86 EUR |
| 500+ | 3.2 EUR |
| IRFIB6N60APBF |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFIB6N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - IRFIB6N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)